资讯
垂直GaN JFET的动态性能(2024-01-02)
垂直GaN JFET的动态性能;美国弗吉尼亚理工学院、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直（GaN）功率晶体管的动态电阻（ RON）和阈值电压（VTH）稳定性进行了实验表征。研究......
CS5525/CS5526 A/D转换器针对热电偶测量优化设计(2023-05-24)
用于开关小于±250 mV的信号，则泄漏电流（25⁰C）将为超皮安。
图3示出了使用增强模式晶体管开关作为模拟开关的示例。图示了SD5400-2四路DMOS开关（SD5000-2，SD-5200-2和......
QSPICE发明者随笔——利用宽带隙FET简化高压调节(2023-09-27)
QSPICE发明者随笔——利用宽带隙FET简化高压调节;Charley Moser拥有EE博士学位，是我最早的模拟设计导师之一。从他那里，我学到了很多知识——混合pi晶体管建模、用于......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
化硅沟槽侧壁上制备的栅极具有更高的沟道迁移率，这意味着与平面器件相比，电子穿过沟槽栅极的阻碍较少。这能降低沟道电阻。其次，沟槽式金氧半场效晶体管可能消除平面金氧半场效晶体管的JFET电阻，在该区域中，来自......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
入业界以来，他领导了新型硅绝缘栅双极型晶体管产品线研发，并发起了一个在电路保护应用中使用碳化硅JFET的研发项目。他于2020年加入TechInsights并成为功率半导体器件的学科专家，同时持续了解整个行业的最新发展。
......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾;今年发布了他们的第4代（Gen4）金氧半场效晶体管（）产品。新系列包括额定电压为750 V（从650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半场效晶体管，以及......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计(2024-01-30)
宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V 作为 全新引脚兼容 系列......
Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30)
宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新......
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能(2024-01-30 14:48)
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能;全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
是一种类似三明治的场效应晶体管，它在接面处没有使用氧化物隔开闸极，音响迷一定不陌生， JFET的推动力大，线性高对高频反应又不良，是非常良好的音响用放大器材料。读者若想看到实体物品，走一......
超共源共栅简史(2023-03-29)
供出色的功率和零干扰接收性能，同时还内置了全向天线”。甚至有一个带电线的遥控器。如今，超共源共栅另有含义。从 1939 年的管式稳压器，到早期的音频放大器，再到高电压应用中的双极晶体管堆栈，我们可以了解到这个词的起源。目前......
大规模商用在即，回顾SiC器件的前世今生(2017-08-28)
相形胜出
第一款向市场投放的碳化硅功率电晶体是在2008年，以1,200伏结场效应电晶体(JFET)的形式出现的。SemiSouth实验室遵循了JFET的方法，因为当时，双极结晶体管(BJT)和......
东芝在SiC和GaN的技术产品创新(2023-10-17)
降低的精度，因为这取决于分流电阻。虽然现今的技术可实现高精度电流传感器，但却无法降低损耗。
东芝的新技术采用级联共源共栅，将低压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与GaN 场效应晶体管......
TI新型高压放大器可实现误差敏感型工业应用的准确性(2018-6-19)
人员可以选择符合其系统要求的放大器架构，其输入电压、带宽和关键特性分别如下：
：27V结型栅场效应晶体管（JFET）输入双运算放大器（op amp），120MHz带宽，500μV最大......
三菱电机开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块样品(2023-06-15)
Transistor)：结型场效应晶体管
*3：RoHS: Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical......
Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管......
Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管......
Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管......
安捷伦推出面向功率电路设计的功率器件电容分析仪(2014-07-11)
直到现在行业中还没有哪种解决方案能够全面测试其在各种工作电压下的电容性能。B1507A 将会填补这一空白，对功率器件执行完整、可靠、自动化的电容测试。”
B1507A 的关键特性包括：
·易于使用，能够对高偏置电压下的晶体管输入、输出和反向传输电容（Ciss......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址：
和普通双极型晶体管......
Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FET(2023-03-21)
中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的导通电阻，比目前市场同类产品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶体管的导通阻抗还要低上 4-10 倍。 的 750V 额定......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
CAMECA LEAP 4000X HR
目标分析器件–UnitedSiC第四代SiC JFET
UnitedSiC UJ4C075018K4S的额定电压为750 V，导通电阻（RDS.（ON））为18mΩ......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
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目标分析器件–UnitedSiC第四代SiC JFET
UnitedSiC UJ4C075018K4S的额定电压为750 V，导通电阻(RDS.(ON))为18mΩ......
Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs(2023-03-21)
前市场同类产品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶体管的导通阻抗还要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 额定电压也比其它的一些替代技术高100-150V......
TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨(2022-12-07)
个表中还显示了每次实验测定的Si、C和Al含量。
表1：由APT确定的JFET门区成分
值得注意的是，APT重构揭示了Al在栅极区域内的极不均匀分布，这表明它与SiC中的晶体缺陷分离（图5）。这些......
高压SiC MOSFET研究现状与展望(2023-02-06)
高压SiC MOSFET研究现状与展望;碳化硅（）金属氧化物半导体场效应晶体管（）作为宽禁带半导体单极型功率 器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域需求广泛，具有巨大的研究价值。回顾......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
合，成为 SiC 晶体管领域的基准。该设计的特殊功能包括通过自对准工艺将通道定向为单一晶体取向。这确保了的沟道迁移率和窄的阈值电压分布。另一个特点是深 p 沟槽在中心与实际 MOS 沟槽相交，以允......
电动机控制应用三种不同的dV/dt控制方法(2022-12-20)
能会使性能受损 有些方法可以将SiC FET器件的dV/dt有效控制在从45V/ns至5V/ns的范围内，而不会导致过长的延迟时间。这三种方法是：外部栅漏电容、器件RC缓冲电路和JFET直接驱动，它们......
Qorvo 发布 TOLL 封装的高功率 5．4mΩ 750V SiC FETs(2023-03-21 14:18)
，在 TOLL 封装中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的导通电阻，比目前市场同类产品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶体管的导通阻抗还要低上 4-10......
Qorvo发布TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs(2023-03-21)
前市场同类产品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶体管的导通阻抗还要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 额定电压也比其它的一些替代技术高100-150V，为客......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-06)
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管;本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-03)
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管;本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
干货总结｜晶体管的应用知识;是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管......
电子产品废热多？管理有办法，首个固态电化学热晶体管问世(2023-02-23)
电子产品废热多？管理有办法，首个固态电化学热晶体管问世;
本研究开发的开创性固态电化学热晶体管。图片来源：物理学家组织网
日本科学家开发出首个固态电化学热晶体管，其能用电来管理热。新问世的固态热晶体管的效率可与目前广泛使用的液态热晶体管......
什么是晶体管呢？ 世界需要更好的晶体管吗？(2022-12-15)
什么是晶体管呢？ 世界需要更好的晶体管吗？;
泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号......
四张图看懂晶体管现状(2022-11-29)
四张图看懂晶体管现状;在过去的 75 年里，晶体管技术最明显的变化就是我们能制造多少。正如这些图表所示，减小设备的尺寸是一项巨大的努力，而且非常成功。但尺......
基于量子干涉的单分子晶体管面世，可用于制造更小更快更节能的新一代电子设备(2024-03-27)
基于量子干涉的单分子晶体管面世，可用于制造更小更快更节能的新一代电子设备;英国和加拿大科学家组成的一个国际研究团队开发出一种新型单分子晶体管，利用量子干涉来控制电子流。这一......
晶体管收音机电路原理图讲解(2024-04-22)
晶体管收音机电路原理图讲解;晶体管收音机是一种简单而有趣的技术小玩意，它改变了我们听音乐的方式。为了放大微弱的无线电信号并将其作为可听声音传输，它使用单个晶体管。本文将解释单晶体管......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
基础知识之晶体管;一、的功能
具有放大和开关电信号的功能。 比如在收音机中，会扩大（放大）空中传输过来的非常微弱的信号，并通过扬声器播放出来。这就是的放大作用。 另外，晶体管......
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?(2023-01-10)
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?;
泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。晶体管具有检波、整流、放大......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点;在IEDM 2023上，英特尔展示了结合背面供电和直接背面触点的3D堆叠CMOS晶体管，这些开创性的技术进展将继续推进摩尔定律。
2023年......
GAAFET技术才准备开始，下一世代CasFET技术已在开发(2021-09-24)
GAAFET技术才准备开始，下一世代CasFET技术已在开发;外媒报导，下世代半导体先进制程技术，研究人员已在开发称为“CasFET”的制程技术，除了更低开关电压、更低功耗和更高密度设计，新型芯片在晶体管......
Intel展示全新3D晶体管：氮化镓都用上了(2023-12-12)
Intel展示全新3D晶体管：氮化镓都用上了;
2023 IEEE国际电子器件会议(IEDM 2023)上，Intel展示了多项新的半导体技术突破，继续推进摩尔定律。
一是3D堆叠CMOS......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术(2023-10-09)
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术;外媒 eNewsEurope 报道，英特尔 (Intel) 和台积电将在国际电子元件会议 (IEDM) 公布垂直堆叠式 () 场效晶体管进展，使 成为......
基于ST STM32G474之500W全桥相移零电压切换直流-直流转换器数位电源(2022-12-21)
切换式电源供应器具有体积小、重量轻、效率高的优点；一般切换式电源供应器采用传统硬式切换，功率晶体管操作频率增加时，功率晶体管的切换损失也随着增加，功率晶体管使用的散热片不仅体积变大并且使效率降低。 一般......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
未来的制程路线图提供了丰富的创新技术储备，充分说明了摩尔定律仍在不断演进。具体而言，英特尔研究人员在大会上展示了结合背面供电和直接背面触点（direct backside contacts）的3D堆叠CMOS晶体管......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-11 11:28)
未来的制程路线图提供了丰富的创新技术储备，充分说明了摩尔定律仍在不断演进。具体而言，英特尔研究人员在大会上展示了结合背面供电和直接背面触点（direct backside contacts）的3D堆叠CMOS晶体管，分享......
推挽式B类功率放大器的基本原理(2024-01-22)
推挽式B类功率放大器的基本原理;了解B类放大器的工作原理，如何计算其效率，以及其性能与电感性负载A类设计的比较。本文引用地址：正如我们在上一篇文章中所讨论的，单晶体管B类放大器（图1）使用高Q谐振......
B类功率放大器介绍(2024-01-16)
率放大器特性
在B类放大器中，晶体管被偏置到刚好低于其导通点。当没有完全导通时，晶体管被输入信号的正半周期驱动导通。对于信号的另一半周期，当输入信号为负时，晶体管保持截止状态。如图1所示。
晶体管......
还搞不懂TIP147是什么管子？看这一文，引脚图+参数+工作原理(2024-01-22)
面积
3、TIP147 3D 模型
TIP147 3D模型
四、TIP147 三极管参数
晶体管类型： PNP 达林顿
最大集电极电流(IC )：-10A
最大集电极-发射极电压（V CE......
相关企业
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管，整流管，稳压管，双晶体管，数字晶体管，镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想，急客户之所急的经营思路，快速，高效，灵活
类电子元器件，主要产品包括：高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商，公司位于华强北电子大厦。主要产品：稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片
;瀚博（香港）集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管，晶体管，MOS管，TVS管，整流
;瀚博集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管
;安丘市中惠电子有限公司;;安丘市中惠电子有限公司，毗邻美丽的世界风筝都－潍坊，是国内生产半导体分离器件的专业厂家。主要生产高、低频大功率晶体管，高频小功率晶体管，高反压大功率晶体管、三极管、达琳顿晶体管
;深圳市柏迪佳电子科技有限公司;;专业经销2N系列;2SA系列;2SB系列;2SC系列;2SD系列;BD&;BU系列;MJ系列;MJE系列;TIP系列;高反压系列晶体管;Hi-Fi功放对管;S系列晶体管