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首页产品分类分立半导体元件IGBT分立IGBT2N7002-7-F
2N7002-7-F

2N7002-7-F

Diodes Incorporated

Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R N-CH MOS 0,210A 60V SOT23 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 MOSFET 60V 200mW MOSFET, N CH, 60V, 0.115A, SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET MOSFET N, 60 V 0.115 A 0.3 W SOT-23, 2N7002-7-F, Diodes Incorporated

分类：分立半导体元件IGBT分立IGBT

规格参数

商业参数

最小起订量3000
单位包装3000
其他名称2N7002-FDICT
产品类别MOSFET
标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量3000

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
海关税号85412100
汽车级AEC-Q(101)
无铅定义RoHS-conform

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Standard
最大功率300mW
额定功率0.3 W
下降时间（典型）5.6 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟7.6 ns
Vgs(th)（最大）@ Id2.5V @ 250µA
击穿电压60 V
阈值电压:2.5V
最大额定电流:800mA
导通电阻 RDS(On):13.5ohm
触点电压（最大）:60V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs7500@5V mOhm
最大功耗:300mW
传播延迟（最大）3 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic70 V
每端口功率（瓦）0.370W
供电电压 (Vcc/Vdd)60V
电流传输比（最小）0.08 S
开关时间（Ton, Toff）（最大）2.8 ns
漏源电压（Vdss）60V
峰值脉冲电流（10/1000µs）0.21 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）0.210A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds50pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C115mA (Ta)

机械参数

重量0.000008
包装方式Tape & Reel (TR)
端接方式:SMD
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:3
封装形式3SOT-23
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
供应商器件封装SOT-23-3

产品信息

极性N-CHANNEL
匹配码2N7002-7-F
通道类型Enhancement
配置Single
标准交期11 weeks

环境参数

工作温度-55 to 150 °C

技术文档

DatasheetAI协助阅读，帮你解答PDF
2N7002 DatasheetAI协助阅读，帮你解答PDF

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2N7002NTE Electronics

None TRANSISTOR, N-CHANNEL; N-CHANNEL; 1.2 OHMS (TYP.); 60V; +/- 20V; 115MA DRAIN

2N7002Taitron Components

None

2N7002oneic

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 800mA; 200mW; SOT23

2N7002深圳市金誉半导体有限公司

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