DDA114TU-7-F
Diodes Incorporated
PRE-BIASED TRANSISTOR, DUAL PNP, SOT363 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R DDA114TU-7-F PREBIASED TRANS.R1 ONLY PNP 200MWOhms TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363 Transistors Switching - Resistor Biased 200MW 10K Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 10K
规格参数
商业参数
最小起订量1
单位包装0
其他名称DDA114TU-FDICT
产品类别Transistors Switching - Resistor Biased
标准包装数量3,000
工厂包装数量3000
标准封装名称SOT-26
合规参数
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant
抗辐射加固No
电气参数
最大功率200mW
晶体管类型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
供电电压50V
基极电阻（R1）10k
最小输入电压50
过渡频率250MHz
最大功耗200
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic300mV @ 100µA, 1mA
集电极电流（Ic）（最大）100mA
集电极截止电流（最大）100 mA
集电极脉冲电流 (Icm)100 mA
共模瞬态抗扰度（最小）Commercial
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce68@10mA@5V
机械参数
宽度1.35(Max)
高度1 mm
长度2.2 mm
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式6-TSSOP, SC-88, SOT-363
冷却的封装SOT-363
总长度2.2(Max)
包装数量SOT-363
位数6
外壳尺寸-插件1(Max)
供应商器件封装SOT-363
产品信息
类型PNP
系列DDA114
制造商全称Diodes Incorporated
配置Dual
印刷电路板数量6
环境参数
工作温度Military