规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工厂包装数量 | 3800 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| 栅极电荷 | 8.3 nC |
| 开通延迟时间 | 8.2 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 8.1 ns |
| 供电电压 | 30 V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 9 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.35V |
| 平均正向功率 | 2.5 W |
| 最大功耗 | 2.5 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 12.5 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±20 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1040 pF@ 15 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 14 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4mm |
| 高度 | 1.5mm |
| 长度 | 5mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 8 |
| 封装形式 | SO-8 |
| 包装数量 | SOIC |
| 尺寸/外形 | 5 x 4 x 1.5mm |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 功能 | Y |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | Infineon Technologies |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | +150 °C |