BSC042N03MS G

BSC042N03MS G

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP N-CH 30V 93A 4.2mOhm TDSON-8 MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 MOSFET N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3M

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量5000
单位包装5000
其他名称BSC042N03MSGINCT
标准包装数量Tape & Reel

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
汽车级NO
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20 V
逻辑类型YES
FET特性Logic Level Gate
最大功率57W
首抽头延迟19 ns
Vgs(th)(最大)@ Id2V @ 250µA
击穿电压30 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs4.2@10V mOhm
传播延迟(最大)8 ns
每端口功率(瓦)57W
供电电压 (Vcc/Vdd)30V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs20nC
开关时间(Ton, Toff)(最大)16 ns
漏源电压(Vdss)30V
峰值脉冲电流(10/1000µs)17 A
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)93A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds4300pF @ 15V
连续漏极电流(Id)@ 25°C17A (Ta), 93A (Tc)

机械参数

参数值
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
封装形式8TDSON EP
供应商器件封装PG-TDSON-8 (5.15x6.15)

产品信息

参数值
匹配码BSC042N03MS G
技术OptiMOS
通道类型Enhancement
标准交期21 weeks

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C
热阻 @ GPM2.2K/W