F3L150R07W2E3_B11
Infineon Technologies AG
IGBT Modules IGBT MODULES 650V 150A
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最大栅源电压 Vgs | +/- 20 V |
| 额定功率 | 335 W |
| 供电电压 | 650 V |
| Vce饱和电压（最大） | 1.45 V |
| 平均正向功率 | 335 W |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 400 nA |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 150 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | Module |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 制造商全称 | Infineon Technologies |
| 配置 | IGBT-Inverter |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | - 40 C |