F3L150R07W2E3_B11

F3L150R07W2E3_B11

Infineon Technologies AG

IGBT Modules IGBT MODULES 650V 150A

规格参数

商业参数

产品IGBT Silicon Modules

电气参数

最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
额定功率335 W
供电电压650 V
Vce饱和电压(最大)1.45 V
平均正向功率335 W
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs400 nA
连续漏极电流(Id)@ 25°C150 A

机械参数

安装样式SMD/SMT
封装形式Module

产品信息

制造商全称Infineon Technologies
配置IGBT-Inverter

环境参数

工作温度- 40 C