规格参数
商业参数
产品IGBT Silicon Modules
产品类别IGBT Modules
工厂包装数量8
合规参数
RoHSNo
电气参数
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V
额定功率3.1 KW
供电电压1600 V
Vce饱和电压（最大）3.7 V
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs400 nA
连续漏极电流（Id）@ 25°C400 A
机械参数
安装样式SMD/SMT
封装形式IHM130
产品信息
配置Single Dual Emitter Dual Collector
环境参数
机械寿命Obsolete
工作温度+ 125 C