首页产品分类分立半导体元件大功率分立半导体模块IGBT模块FZ300R12KE3B1G

FZ300R12KE3B1G

Infineon Technologies AG

IGBT Modules N-CH 1.2KV 480A

分类：分立半导体元件大功率分立半导体模块IGBT模块

规格参数

商业参数

产品IGBT Silicon Modules

工厂包装数量10

电气参数

最大栅源电压 Vgs+/- 20 V

供电电压1200 V

连续漏极电流（Id）@ 25°C480 A

机械参数

安装样式Screw

封装形式62 mm

产品信息

配置Single Dual Collector Dual Emitter

环境参数

机械寿命Obsolete

工作温度+ 125 C