LM258DR2G

LM258DR2G

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OP Amp Dual GP ±16V/32V 8-Pin SOIC N T/R IC OPAMP GP 1MHZ 8SOIC LM258DR2G, Dual Operational Amplifier 5 to 28V, 8-Pin SOIC Operational Amplifiers - Op Amps 3-32V Dual Low Bias -25 to 85deg C OP Amp Dual GP �16V/32V 8-Pin SOIC N T/R OperationalAmplifierDual3-32VSOIC8

规格参数

商业参数

参数
产品Operational Amplifiers
其他名称LM258DR2GOSTR
产品类别Operational Amplifiers - Op Amps
标准包装数量Tape & Reel, Cut Tape
工厂包装数量2500
标准封装名称SOIC

合规参数

参数
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant
抗辐射加固No

电气参数

参数
增益100 dB
电源抑制比65 dB
压摆率0.6 V/µs
输出类型No
输入功率Single/Dual
共模抑制比、电源抑制比(典型)70 dB
输出电流1.5mA
供电电流1.2@5V@-25C to 85C mA
供电电压3 V
供电类型Single|Dual
通道数量2
元件数量2
输入偏置电流45nA
最大额定电流40mA
最小输入电压2mV
增益带宽积1MHz
轨到轨工作No
传播延迟(最大)0.6 V/µs
输入偏置电流(最大)0.15@5V uA
输出电流/通道40mA
输入失调电流(最大)0.03@5V
共模电压 (Vcm)Negative Rail to Positive Rail - 1.7 V
电源电压范围(典型)�3/�5/�9/�12 V
输入失调电压(最大)5@30V mV
电压输出差(典型值)@ 距离100 dB

机械参数

参数
宽度4mm
高度1.5mm
长度5mm
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式8SOIC N
冷却的封装SOIC N
总长度5(Max)
包装数量SOIC N
尺寸/外形5 x 4 x 1.5mm
位数8
外壳尺寸-插件1.5(Max)
供应商器件封装8-SOIC N

产品信息

参数
类型General Purpose Amplifier
系列LM258
关断No
技术Bipolar
制造商全称General Purpose Amplifier
放大器类型General Purpose
电路数2
印刷电路板数量8

环境参数

参数
工作温度-25 to 85 °C