规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 其他名称 | NTGS4111PT1GOSTR |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Cut Tape, Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | TSOP |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 15 ns, 9 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 630mW |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 1.25 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB |
| 开通延迟时间 | 9 ns |
| 下降时间（典型） | 22 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz |
| 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 15 ns, 9 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel |
| 关断延迟时间 | 38 ns |
| 首抽头延迟 | 28|38 ns |
| 供电电压 | 30 V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 110 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 60@10V mOhm |
| 平均正向功率 | 1.25 W |
| 最大功耗 | 2 W |
| 传播延迟（最大） | 15|9 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 30 V |
| 漏电流（最大） | 3.7 A |
| 导通电阻（最大） | 110 mΩ |
| 电流传输比（最小） | 6 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 32nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 11|9 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 3.7 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 4.7 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 750pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.6A (Ta) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 1.7mm |
| 高度 | 1mm |
| 长度 | 3.1mm |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 6 |
| 封装形式 | 6TSOP |
| 冷却的封装 | TSOP |
| 总长度 | 3 |
| 包装数量 | TSOP |
| 尺寸/外形 | 3.1 x 1.7 x 1mm |
| 位数 | 6 |
| 外壳尺寸-插件 | 0.94 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | NTGS4111P |
| 功能 | Y |
| 极性 | P |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | P |
| 制造商全称 | ON Semiconductor |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain |
| 印刷电路板数量 | 6 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |