M470T5267AZ3-CE6DE

Samsung Electronics Co., Ltd.

DRAM Module DDR2 SDRAM 4Gbyte 200SODIMM

规格参数

商业参数

参数
标准包装数量Trays

电气参数

参数
时钟速率667 MHz
额定电压1.8 V
元件数量16

机械参数

参数
封装形式200USODIMM
核心数/总线宽度64 Bit

产品信息

参数
密度4 GB
主要用途DRAM Module
制造商全称512Mx64
子类别DDR2 SDRAM
模块/板类型200SODIMM
逻辑单元/单元数量4(Stacked) Gb

环境参数

参数
工作温度0 to 95 °C