规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 497-8042-1 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 标准封装名称 | SOIC |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85423300 |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 下降时间 | 35 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 2W |
| 额定功率 | 2 W |
| 上升时间（典型） | 35 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 125 ns |
| 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 20 V |
| 阈值电压 | :1.6V |
| 最大额定电流 | :4A |
| 导通电阻 RDS(On) | :70mohm |
| 触点电压（最大） | :20V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 80@10V mOhm |
| 最大功耗 | 2 W |
| 传播延迟（最大） | 35 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V |
| 导通电阻（最大） | 0.08 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 16nC @ 5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 25 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 4 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 16 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 4 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1350pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 4mm |
| 高度 | 1.25mm |
| 长度 | 5mm |
| 重量 | 0.002998 oz |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 端接方式 | :SMD |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8SO N |
| 冷却的封装 | SO |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 5(Max) |
| 包装数量 | SO N |
| 尺寸/外形 | 5 x 4 x 1.25mm |
| 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.65(Max) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 极性 | P |
| 通道类型 | P |
| 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual, Dual Drain |
| 模块/板类型 | :Dual |
| 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |