CSD16321Q5C

CSD16321Q5C

Texas Instruments Incorporated

Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R MOSFET N-CH 25V 100A 8SON MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET MOSFET, N CH, 25V, 31A, 8SON DualCool™ N-Channel NexFET™ Power MOSFET

规格参数

商业参数

参数
商标名NexFET
其他名称296-25643-2
产品类别MOSFET
标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量2500

合规参数

参数
RoHSContains lead / RoHS compliant by exemption
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
零件状态ACTIVE

电气参数

参数
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间17 ns
最大栅源电压 Vgs10 V
FET特性Logic Level Gate
栅极电荷18 nC
最大功率3.1W
额定功率3.1 W
下降时间(典型)17 ns
上升时间(典型)15 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟27 ns
Vgs(th)(最大)@ Id1.4V @ 250µA
击穿电压25 V
阈值电压:1.1V
最大额定电流:100A
导通电阻 RDS(On):1.9mohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs2.4@8V mOhm
最大功耗:3.1W
传播延迟(最大)15 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic25 V
逻辑电压 - VIL, VIHYes
电流传输比(最小)150 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs19nC @ 4.5V
峰值脉冲电流(8/20µs)200
开关时间(Ton, Toff)(最大)9 ns
漏源电压(Vdss)25V
峰值脉冲电流(10/1000µs)31 A
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)100 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds3100pF @ 12.5V
连续漏极电流(Id)@ 25°C31A (Ta), 100A (Tc)

机械参数

参数
宽度6
重量0.0001
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:8
封装形式8SON EP
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度5
包装数量SON EP
位数8
外壳尺寸-插件1
供应商器件封装8-SON-EP (5x6)

产品信息

参数
系列CSD16321Q5C
软件SLPS242B
通道类型Enhancement
配置Single
图案编号Y
功能框图
使用的IC/零件View
DigiKey可编程
其他规格2.5
印刷电路板数量8

环境参数

参数
测试温度-55 to 150
工作温度-55 to 150 °C