BPW77NA
Vishay Intertechnology, Inc.
Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA Phototransistors 10 Degree 250mW PHOTOTRANSISTOR NPN TO-18 PHOTOTRANSISTOR, NPN, 3-TO-18 Phototransistor; 850nm; 70V; 20°; Lens: transparent Vishay 红外+可见光 光电晶体管 , ±10 °半感光角度, 450 → 1080 nm, TO-18 封装
规格参数
商业参数
产品Phototransistors
其他名称751-1020
产品类别Phototransistors
标准包装数量Bulk, Tape & Reel
工厂包装数量1000
标准封装名称TO-18
合规参数
RoHSRoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant
海关税号85369010
电气参数
波长850 nm
最大功率250mW
传感器类型phototransistor
电流 - UL10mA
感应角度20 °
视角Top View
上升时间（典型）:6µs
晶体管类型Phototransistor
供电电压70 V
峰值波长850 nm
通道数量1
暗电流（最大）100 nA
暗电流（典型值）:50mA
最大额定电流15000
Vce饱和电压（最大）0.15 V
最小输入电压70
平均正向功率:250mW
最大功耗250 mW
暗电流 Id（最大）100nA
集电极电流（Ic）（最大）50 mA
集电极截止电流（最大）50 mA
机械参数
重量0.001
包装方式Bulk
引脚样式Through Hole
透镜样式Domed
方向Top View
透镜尺寸（因值为长宽高，非直径）4 mm
透镜材料transparent
安装类型Through Hole
引脚数:3
封装形式3TO-206AA
包装数量TO-206AA
尺寸/外形see
外径5.5
位数3
外壳尺寸-插件6.15
产品信息
SPG150
类型IR Chip
极性NPN
单元数量1
印刷电路板数量3
环境参数
工作温度+ 125 C