SI1034X-T1-E3

SI1034X-T1-E3

Vishay Intertechnology, Inc.

MOSFET 20V 0.2A Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SOT-563F T/R N-CHAN.DUAL-FET 20V 0,18A SC89 MOSFET N-CH 20V 180MA SOT563F N CHANNEL, MOSFET, 20V, 200mA, SC-89 MOSFET,Power;N-Ch;VDSS20V;RDS(ON)5Ohms;ID180mA;SC-89(SOT-490);PD250mW

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量3000
单位包装3000
其他名称SI1034X-T1-E3TR
标准包装数量3,000
标准封装名称SC-89

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
FET类型2 N-Channel (Dual)
最大栅源电压 Vgs:4.5V
FET特性Logic Level Gate
最大功率250mW
开通延迟时间50ns
晶体管类型:N Channel
关断延迟时间50ns
供电电压1.2V
元件数量2
Vgs(th)(最大)@ Id1.2V @ 250µA
击穿电压20
阈值电压:1.2V
导通电阻 RDS(On):9ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs5Ohm
最大功耗250mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic20V
每端口功率(瓦)0.25W
导通电阻(最大)5Ohm
供电电压 (Vcc/Vdd)20V
电流传输比(最大)0.5S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs0.75nC @ 4.5V
漏源电压(Vdss)20V
峰值脉冲电流(10/1000µs)0.18
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)0.18A
连续漏极电流(Id)@ 25°C180mA

机械参数

参数值
宽度1.2
重量0.002
包装方式Tape and Reel
引脚样式Flat
极化N-Channel
安装类型Surface Mount
封装形式SC89
总长度1.7(Max)
包装数量SOT-563F
位数6
外壳尺寸-插件0.6(Max)
供应商器件封装SC-89-6

产品信息

参数值
极性N-CHANNEL
匹配码SI1034X-T1-GE3
通道类型N
标准交期15 weeks
印刷电路板数量6

环境参数

参数值
工作温度150
结工作温度+150°C