规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 3000 |
| 商标名 | TrenchFET |
| 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | SI3552DV-T1-E3CT |
| 零件号别名 | SI3552DV-E3 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | TSOP |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | N and P-Channel |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 1.15W |
| 额定功率 | 1.15 W |
| 开通延迟时间 | 7/8ns |
| 下降时间（典型） | 5@N Channel|7@P Channel ns |
| 晶体管类型 | N and P-Channel |
| 关断延迟时间 | 13/12ns |
| 首抽头延迟 | 13@N Channel|12@P Channel ns |
| 供电电压 | 0.81/-0.83V |
| 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 105@10V@N Channel|200@10V@P Channel mOhm |
| 最大功耗 | 1.15W |
| 传播延迟（最大） | 9@N Channel|12@P Channel ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | +/- 30 V |
| 导通电阻（最大） | 0.105/0.2Ohms |
| 电流传输比（最大） | 4.3/2.4S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 3.2nC @ 5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 7@N Channel|8@P Channel ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 2.5@N Channel|1.8@P Channel A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 2.5 A, 1.8 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.5A, 1.8A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 1.65 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 长度 | 3.05 mm |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 极化 | N-ChannelandP-Channel |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 6TSOP |
| 总长度 | 3.05 |
| 包装数量 | TSOP |
| 位数 | 6 |
| 外壳尺寸-插件 | 1(Max) |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Complementary |
| 系列 | TrenchFET® |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N|P |
| 制造商全称 | Vishay Semiconductors |
| 配置 | Dual |
| 印刷电路板数量 | 6 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 自然散热热阻 | 130°C/W |