SI7148DP-T1-GE3

SI7148DP-T1-GE3

Vishay Intertechnology, Inc.

MOSFET 75V 28A 96W 11mohm @ 10V MOSFET N-CH D-S 75V PPAK 8SOIC N CHANNEL MOSFET, 75V, 28A, SOIC

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量1
单位包装0
零件号别名SI7148DP-GE3
产品类别MOSFET
标准包装数量3,000
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant By Exemption
海关税号85412900

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs:10V
FET特性Logic Level Gate
最大功率96W
额定功率5.4 W
晶体管类型N-Channel
Vgs(th)(最大)@ Id2.5V @ 250µA
阈值电压:2V
导通电阻 RDS(On):11mohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs11 mOhms
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic75 V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs100nC @ 10V
漏源电压(Vdss)75V
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)28 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds2900pF @ 35V
连续漏极电流(Id)@ 25°C28A (Ta), 28A (Tc)

机械参数

参数值
重量0
包装方式Reel
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:8
封装形式PowerPAK SO-8
供应商器件封装PowerPAK® SO-8

产品信息

参数值
配置Single

环境参数

参数值
工作温度+ 150 C