规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工厂包装数量 | 95 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| 栅极电荷 | 14 nC |
| 开通延迟时间 | 16 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | 单 |
| 关断延迟时间 | 55 ns |
| 供电电压 | 30 V |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 19.4 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.4V |
| 平均正向功率 | 2.5 W |
| 最大功耗 | 2500 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 30 V |
| 导通电阻（最大） | 32.5 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±20 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1110 pF @ 25 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 9.2 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 3.99mm |
| 高度 | 1.57mm |
| 长度 | 4.98mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 8 |
| 封装形式 | SO-8 |
| 包装数量 | SOIC |
| 尺寸/外形 | 4.98 x 3.99 x 1.57mm |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | HEXFET |
| 功能 | Y |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | P |
| 制造商全称 | Infineon / IR |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | 150 °C |
相似型号
SI3552DV-T1-E3vishay / siliconix
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP MOSFET;Dual; Complementary; 30V; 2.5/1.8A; TSOP-6 MOSFET 30V 2.5/1.8A MOSFET,Dual,Complementary,30V,2.5/1.8A,TSOP-6
SI3552DV-T1-E3Vishay Intertechnology, Inc.
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