规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工厂包装数量 | 675 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 下降时间 | 55 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V |
| 栅极电荷 | 22 nC |
| 开通延迟时间 | 12 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 95 ns |
| 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 36 ns |
| 首抽头延迟 | 36 ns |
| 供电电压 | 80 V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 28 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V |
| 平均正向功率 | 120 W |
| 最大功耗 | 120 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 80 V |
| 导通电阻（最大） | 28 mOhms |
| 电流传输比（最小） | 35 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±16 V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 12 ns |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1890 pF@ 25 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 39 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 2.39mm |
| 高度 | 6.22mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-252-3 |
| 包装数量 | DPAK |
| 尺寸/外形 | 6.73 x 2.39 x 6.22mm |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | HEXFET Power MOSFET |
| 系列 | HEXFET |
| 功能 | Y |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | Infineon Technologies |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | +175 °C |
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