TC4467EOE
Microchip Technology Inc.
MOSFET DRVR 1.2A 4-OUT Lo Side Inv 16-Pin SOIC W 4xDr NAND 1.2A 18V SO-16 SMD IC MOSFET DVR QUAD NAND 16SOIC TC4467EOE, Quad MOSFET Power Driver 1.2A Full Bridge, Inverting, 4.5 to 18V, 16-Pin SOIC Gate Drivers 1.2A Quad NAND I/P MOSFET DRIVER, QUAD, NAND, 16SOIC Microchip 4路 MOSFET 功率驱动器, 1.2A, 全桥, 反相, 16针 SOIC封装
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 188 |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 单位包装 | 47 |
| 产品类别 | Gate Drivers |
| 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 47 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 海关税号 | 85423990 |
| 汽车级 | NO |
| 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform |
| 故障保护 | NANY/N/NA/NAN |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 下降时间 | 25 ns |
| 延迟时间 | 40ns |
| 输入类型 | NAND |
| 额定功率 | 0.76 W |
| 额定电压 | 4.5 V |
| 上升时间（典型） | 25 ns |
| 输出电流 | 4 mA |
| 供电电流 | 4 mA |
| 驱动电路 | Low Side |
| 供电电压 | 4.5 V ~ 18 V |
| 输出数量 | 4 |
| 峰值输出电流 | 1.2(Typ) A |
| 最小输入电压 | 18V |
| 最小供电电压 | 18 V |
| 输入逻辑低电平 | CMOS |
| 最大功耗 | 760 mW |
| 传播延迟时间 | 75 ns |
| 输入逻辑高电平 | CMOS |
| 导通电阻（最大） | NY/N/NA/NAN |
| 传播速度（VoP） | 4.5V |
| 滑臂电阻（欧姆）（典型） | 10 Ohm |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 1.2A |
| 漏电流（IS(off)）（最大） | NY/N/NA/NAN |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 7.59mm |
| 高度 | 2.34mm |
| 长度 | 10.49mm |
| 重量 | 0.0002 |
| 包装方式 | TUBE |
| 封装体颜色 | :SOIC |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :16 |
| 封装形式 | 16SOIC W |
| 冷却的封装 | SOIC |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 尺寸/外形 | 10.49 x 7.59 x 2.34mm |
| 位数 | 16 |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC W |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Low Side |
| 基本单元 | :4467 |
| 匹配码 | TC4467EOE |
| 配置 | Low-Side |
| 模块/板类型 | :Low Side |
| 驱动器数量 | 4 |
| 标准交期 | 14 weeks |
| 电机类型 - AC, DC | Full Bridge |
| 应用细节 | 4xStage |
| 配置数 | 4 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | -40 to 85 °C |
| 结工作温度 | -40°C |