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首页产品分类分立半导体元件IGBT分立IGBT2N7000G
2N7000G

2N7000G

onsemi

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 2N7000G, N-channel MOSFET Transistor 0.2A 60V, 3-Pin TO-92 MOSFET 60V 200mA N-Channel MOSFET, N, 60V, 0.2A, TO-92 MOSFET;N-Ch;VDSS60VDC;RDS(ON)5Ohms;ID200mA;TO-92(TO-226);PD350mW;-55degc ON Semiconductor , N沟道 MOSFET, 200 mA, Vds=60 V, 3针 TO-92封装

分类：分立半导体元件IGBT分立IGBT

规格参数

商业参数

产品类别MOSFET
标准包装数量Boxed, Bulk
工厂包装数量1000

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
海关税号85331000
抗辐射加固No

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Standard
最大功率350mW
噪声系数Not Required dB
额定功率0.35 W
额定输出功率Not Required dB
开通延迟时间10ns
最大频率Not Required MHz
晶体管类型N-Channel
关断延迟时间10ns
首抽头延迟10 ns
元件数量1
Vgs(th)（最大）@ Id3V @ 1mA
击穿电压60 V
阈值电压:3V
导通电阻 RDS(On):5ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs5000@10V mOhm
最大功耗0.35 W
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic60 V
漏电流（最大）0.2 A
连接器类型 - 电压输入:S(1)G(2)D(3)
导通电阻（最大）5 Ω
电流传输比（最大）100Micromhos
电流传输比（最小）0.0001 S
峰值脉冲电流（8/20µs）:500mA
开关时间（Ton, Toff）（最大）10(Max) ns
Vce饱和电压（最大）@ Ib, IcNot Required %
漏源电压（Vdss）60V
峰值脉冲电流（10/1000µs）0.2 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）200 mA
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds60pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C200mA (Ta)

机械参数

宽度4.19mm
高度5.33mm
长度5.2mm
重量0.27
包装方式Bulk
端接方式:Through Hole
极化N-Channel
安装类型Through Hole
安装样式Through Hole
引脚数:3
封装形式3TO-92
冷却的封装TO-92
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
尺寸/外形5.2 x 4.19 x 5.33mm
位数3
供应商器件封装TO-92-3

产品信息

类型Small Signal
极性N
通道类型Enhancement
卡标准Small Signal
配置Single

环境参数

工作温度-55 to 150 °C
结工作温度+150°C

技术文档

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