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首页产品分类分立半导体元件IGBT分立IGBT2N7002LT1G
2N7002LT1G

2N7002LT1G

onsemi

Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 2N7002LT1G, N-channel MOSFET Transistor 0.115A 60V, 3-Pin SOT-23 MOSFET, N, SOT-23 N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23, FULL REEL MOSFET;N-Ch;VDSS60VDC;RDS(ON)7.5Ohms;ID+/-115mA;SOT-23(TO-236);PD225mW;-55 ON Semiconductor , N沟道 MOSFET, 115 mA, Vds=60 V, 3针 SOT-23封装 MOSFET 60V 115mA N-Channel

分类：分立半导体元件IGBT分立IGBT

规格参数

商业参数

其他名称2N7002LT1GOSTR
标准包装数量Tape & Reel
标准封装名称SOT-23

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Logic Level Gate
最大功率225mW
开通延迟时间20ns
晶体管类型:N Channel
关断延迟时间40ns
首抽头延迟40(Max) ns
供电电压-1.5V
元件数量1
Vgs(th)（最大）@ Id2.5V @ 250µA
击穿电压60 V
阈值电压:2.5V
导通电阻 RDS(On):7.5ohm
触点电压（最大）:60V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs7500@10V mOhm
最大功耗0.3 W
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic60V
导通电阻（最大）7.5 Ω
电流传输比（最大）80Millimhos
峰值脉冲电流（8/20µs）:800mA
开关时间（Ton, Toff）（最大）20(Max) ns
漏源电压（Vdss）60V
峰值脉冲电流（10/1000µs）0.115 A
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）±115mA
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds50pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C115mA (Tc)

机械参数

深度:2.5mm
宽度1.3mm
高度0.94mm
长度2.9mm
重量0.000033
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
极化N-Channel
安装类型Surface Mount
引脚数:3
封装形式3SOT-23
冷却的封装SOT-23
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度2.9
包装数量SOT-23
尺寸/外形2.9 x 1.3 x 0.94mm
胶带最大宽度:8mm
位数3
外壳尺寸-插件0.94
供应商器件封装SOT-23-3 (TO-236)

产品信息

SMD标记:702
通道类型Enhancement
卡标准Small Signal
配置Single
印刷电路板数量3

环境参数

测试温度:25°C
工作温度-55 to 150 °C
结工作温度+150°C

技术文档

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