BSS138LT1G

Name: BSS138LT1G
Brand: onsemi

onsemi

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 BSS138LT1G, N-channel MOSFET Transistor 0.2A 50V, 3-Pin SOT-23 MOSFET, N CH, 50V, 200MA, SOT-23-3 MOSFET, N, 50V, 0.2A, SOT-23 MOSFET,Power;N-Ch;VDSS50VDC;RDS(ON)3.5Ohms;ID200mA;SOT-23(TO-236);PD225mW ON Semiconductor , N沟道 MOSFET, 200 mA, Vds=50 V, 3针 SOT-23封装 MOSFET 50V 200mA N-Channel

分类：分立半导体元件IGBT分立IGBT

规格参数

商业参数

其他名称BSS138LT1GOSTR

标准包装数量Tape & Reel

标准封装名称SOT-23

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant

SVHC:No SVHC (16-Dec-2013)

欧盟RoHSCompliant

海关税号85411000

抗辐射加固No

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide

最大栅源电压 Vgs±20 V

FET特性Logic Level Gate

最大功率225mW

噪声系数Not Required dB

额定功率0.225 W

额定输出功率Not Required dB

开通延迟时间20ns

最大频率Not Required MHz

晶体管类型:N Channel

关断延迟时间20ns

首抽头延迟20 ns

元件数量1

Vgs(th)（最大）@ Id1.5V @ 1mA

击穿电压50 V

阈值电压:1.5V

导通电阻 RDS(On):3.5ohm

导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs3500@5V mOhm

最大功耗0.225 W

集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic50 V

漏电流（最大）0.2 A

导通电阻（最大）3.5 Ω

电流传输比（最大）100Millimhos

开关时间（Ton, Toff）（最大）20(Max) ns

Vce饱和电压（最大）@ Ib, IcNot Required %

漏源电压（Vdss）50V

峰值脉冲电流（10/1000µs）0.2 A

漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）0.2 A

输入电容（Ciss）（最大）@ Vds50pF @ 25V

连续漏极电流（Id）@ 25°C200mA (Ta)

机械参数

宽度1.3mm

高度0.94mm

长度2.9mm

重量0.000033

包装方式Tape and Reel

引脚样式Gull-wing

端接方式:SMD

极化N-Channel

安装类型Surface Mount

引脚数:3

封装形式3SOT-23

冷却的封装SOT-23

材料表面处理:MSL 1 - Unlimited

包装数量SOT-23

尺寸/外形2.9 x 1.3 x 0.94mm

位数3

供应商器件封装SOT-23-3 (TO-236)

产品信息

类型Power MOSFET

极性N

通道类型Enhancement

卡标准Power MOSFET

配置Single

环境参数

工作温度-55 to 150 °C

结工作温度+150°C

技术文档

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