CSD16401Q5

CSD16401Q5

Texas Instruments Incorporated

Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin SON EP T/R MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs FET, N CH, SINGLE, 25V, 8SON N-Channel NexFET™ Power MOSFET Texas Instruments , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=25 V, 8针 SON封装

规格参数

商业参数

参数
商标名NexFET
其他名称296-24525-2
产品类别MOSFET
标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量2500
标准封装名称SON

合规参数

参数
RoHSContains lead / RoHS compliant by exemption
SVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85423190
零件状态ACTIVE

电气参数

参数
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间12.7 ns
最大栅源电压 Vgs16 V
FET特性Logic Level Gate
最大功率3.1W
额定功率3.1 W
下降时间(典型)12.7 ns
上升时间(典型)30 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟20 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1.9V @ 250µA
击穿电压25 V
阈值电压:1.5V
最大额定电流:100A
导通电阻 RDS(On):1.3mohm
触点电压(最大):25V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs1.6@10V mOhm
最大功耗:3.1W
传播延迟(最大)30 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic25 V
逻辑电压 - VIL, VIHYes
导通电阻(最大)1.6@10V
电流传输比(最小)168 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs29nC @ 4.5V
峰值脉冲电流(8/20µs)240
开关时间(Ton, Toff)(最大)16.6 ns
漏源电压(Vdss)25V
峰值脉冲电流(10/1000µs)38 A
栅极触发电压 Vgt (最大)- 12 V, + 16 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)100 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds4100pF @ 12.5V
连续漏极电流(Id)@ 25°C38A (Ta), 100A (Tc)

机械参数

参数
宽度6.1(Max)
重量0.0001
包装方式Tape and Reel
端接方式:SMD
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:8
封装形式8SON EP
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度5.1(Max)
包装数量SON EP
位数8
外壳尺寸-插件1.05(Max)
供应商器件封装8-SON

产品信息

参数
系列CSD16401Q5
软件SLPS200A
通道类型Enhancement
配置Single Quad Drain Triple Source
图案编号Y
功能框图
使用的IC/零件View
DigiKey可编程
其他规格5.2
印刷电路板数量8

环境参数

参数
测试温度-55 to 150
工作温度-55 to 150 °C