CSD16404Q5A

CSD16404Q5A

Texas Instruments Incorporated

Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON FET, N CH, SINGLE, 25V, 8SON N-Channel NexFET™ Power MOSFET MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs

规格参数

商业参数

参数
其他名称296-24250-2
标准包装数量Tape & Reel

合规参数

参数
RoHSContains lead / RoHS compliant by exemption
SVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85423190
零件状态ACTIVE
抗辐射加固No

电气参数

参数
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs16 V
FET特性Standard
最大功率3W
噪声系数Not Required dB
额定功率3 W
额定输出功率Not Required dB
下降时间(典型)4.6 ns
最大频率Not Required MHz
晶体管类型:N Channel
首抽头延迟8.4 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id2.1V @ 250µA
击穿电压25 V
阈值电压:1.8V
最大额定电流:81A
导通电阻 RDS(On):4.1mohm
触点电压(最大):25V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs5.1@10V mOhm
最大功耗:3W
传播延迟(最大)13.4 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic25 V
漏电流(最大)21 A
逻辑电压 - VIL, VIHYes
导通电阻(最大)0.0051 ohm
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs8.5nC @ 4.5V
峰值脉冲电流(8/20µs)135
开关时间(Ton, Toff)(最大)7.8 ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)25V
峰值脉冲电流(10/1000µs)21 A
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)21 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1220pF @ 12.5V
连续漏极电流(Id)@ 25°C21A (Ta), 81A (Tc)

机械参数

参数
宽度5.75
重量0.0001
包装方式Tape and Reel
端接方式:SMD
安装类型Surface Mount
引脚数:8
封装形式8SON EP
冷却的封装SON EP
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度4.9
包装数量SON EP
位数8
外壳尺寸-插件1
供应商器件封装8-SON (5x6)

产品信息

参数
类型Power MOSFET
已删除Compliant
极性N
软件SLPS198B
通道类型Enhancement
配置Single
图案编号Y
功能框图
使用的IC/零件View
DigiKey可编程
其他规格1.7
印刷电路板数量8

环境参数

参数
测试温度-55 to 150
工作温度-55 to 150 °C