规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 商标名 | NexFET |
| 其他名称 | 296-27210-2 |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Cut Tape |
| 工厂包装数量 | 2500 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Contains lead / RoHS compliant by exemption |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 |
| 零件状态 | ACTIVE |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 2.3 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V |
| FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 3.9 nC |
| 最大功率 | 2.7W |
| 额定功率 | 2.7 W |
| 下降时间（典型） | 2.3 ns |
| 上升时间（典型） | 5.7 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 9.9 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.8V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V |
| 阈值电压 | :1.3V |
| 最大额定电流 | Catalog |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.0094ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 10.3@8V mOhm |
| 最大功耗 | :2.7W |
| 传播延迟（最大） | 5.7 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 逻辑电压 - VIL, VIH | Yes |
| 导通电阻（最大） | 10.3@8V |
| 电流传输比（最小） | 37 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
| 峰值脉冲电流（8/20µs） | 78 |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 4.5 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 47 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 10 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 47 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 700pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 13A (Ta), 47A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 3.3 |
| 重量 | 0.0035 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8SON EP |
| 冷却的封装 | SON EP |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 3.3 |
| 包装数量 | SON EP |
| 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1 |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | CSD17308Q3 |
| 极性 | N |
| 软件 | SLPS262A |
| 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 图案编号 | Y |
| 功能框图 | |
| 使用的IC/零件 | View |
| DigiKey可编程 | |
| 其他规格 | 0.8 |
| 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 测试温度 | -55 to 150 |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
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