CSD86330Q3D
Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin SON EP T/R Synchronous Buck Power Block 8-Pin SON EP T/R MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON SYNC BUCK NexFET POWER BLOCK MOSFET PAIR, 25V, 65A, SON-8 IC, SYNC, BUCK, NEXFET, 8SON Synchronous Buck NexFET™ Power Block MOSFET Pair Texas Instruments , 双 N沟道 MOSFET 模块, 60 A, Vds=20 V, 8针 SON封装 MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | 296-28216-2 |
| 标准包装数量 | Tape & Reel |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Contains lead / RoHS compliant by exemption |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412100 |
| 零件状态 | ACTIVE |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 电流 | 15 |
| FET类型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 6W |
| 功率等级 | 1.9 |
| 晶体管类型 | :N Channel |
| 供电电压 | :22V |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.1V @ 250µA |
| 阈值电压 | :1.4V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 14A, 8V |
| 最大功耗 | :6W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 25 |
| 传播延迟时间 | :5.3ns |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 共模瞬态抗扰度（最小） | Military |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 920pF @ 12.5V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 20A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 3.4(Max) |
| 重量 | 1 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 封装体颜色 | :SON |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8SON EP |
| 冷却的封装 | SON EP |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 3.4(Max) |
| 包装数量 | SON EP |
| 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.55(Max) |
| 供应商器件封装 | 8-SON (3.3x3.3) |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | :MOSFET |
| 软件 | SLPS264D |
| 配置 | PowerBlock |
| 图案编号 | Y |
| 模块/板类型 | :Half Bridge |
| 功能框图 | fbd_slps264d.gif |
| 使用的IC/零件 | View |
| DigiKey可编程 | |
| 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 测试温度 | -55 to 150 |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 结工作温度 | 150C |
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