SI7848BDP-T1-GE3

SI7848BDP-T1-GE3

Vishay Intertechnology, Inc.

Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC MOSFET, N CH, 40V, 47A, POWERPAK MOSFET 40V 47A 36W 9.0mohm @ 10V

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量1
单位包装0
其他名称SI7848BDP-T1-GE3CT
标准包装数量Tape & Reel

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900

电气参数

参数值
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±20 V
FET特性Standard
最大功率36W
下降时间(典型)10 ns
晶体管类型:N Channel
首抽头延迟25|30 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id3V @ 250µA
击穿电压40 V
阈值电压:3V
导通电阻 RDS(On):0.0074ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs9@10V mOhm
最大功耗:36W
传播延迟(最大)12|15 ns
导通电阻(最大)9@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs50nC @ 10V
开关时间(Ton, Toff)(最大)25|10 ns
漏源电压(Vdss)40V
峰值脉冲电流(10/1000µs)16 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds2000pF @ 20V
连续漏极电流(Id)@ 25°C47A (Tc)

机械参数

参数值
宽度5.89
重量0.0001
包装方式Tape and Reel
引脚样式No Lead
安装类型Surface Mount
引脚数:8
封装形式8PowerPAK SO
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度4.9
包装数量PowerPAK SO
位数8
外壳尺寸-插件1.04
供应商器件封装PowerPAK® SO-8

产品信息

参数值
通道类型Enhancement
印刷电路板数量8

环境参数

参数值
工作温度-55 to 150 °C